激光研究的进展

一、半导体激光器的最新进展

1.半导体激光器的最新进展

自从半导体激光器(LD)发展以来，它的波长已经

从可见光、红外到远红外、紫外；结构来自

同质结已经发展到单异质结、双异质结和量子阱。

(单量子阱和多量子阱)等。

它的性能也在不断提高，它的产量

随着功率的不断提高，单台设备的输出功率已经从几百。

MW发展到几W；线阵和二维阵高功率LD

输出功率从十几瓦增加到几千瓦。

阈值电流

密度已经降低到100 A/cm2以下，如图1所示。

切线电流密度的下降趋势。

目前，所有发达国家都在发展大功率、大功率。

快速和宽带量子阱激光器(QWLD)，并取得了巨大的成功。

发展。

QWLD的成功开发是工作开发史上的又一成就。

里程碑式的基于MOCvD外延技术的QwLD

发展经历了大块材料激光器>:普通QwLD & gt应该做

变化和补偿应变qwld >:偏振无关半导体激光器

光放大器>:光子和光电器件集成的几个发展阶段

段。

应变层QWLD是新一代高速宽带光源。

2.光子晶体激光器

3.量子点激光器

4.量子级联激光器

二、光纤激光器的最新进展

三、泵浦固体激光器的最新进展

第四，纳米激光器的最新进展

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