什么是集成电路和集成模块？
集成电路(港台称集成电路)是一种微电子器件或元件。利用一定的工艺，将电路中需要的晶体管、二极管、电阻、电容、电感等元器件和布线相互连接在一起，制作在一小片或几小片半导体晶片或介质基片上，然后封装在一个封装体内，形成具有所需电路功能的微结构；其中所有元件都在结构上集成在一起，使整个电路的体积大大减小，引出线和焊点的数量也大大减少，从而使电子元件向小型化、低功耗和高可靠性迈出了一大步。
集成电路具有体积小、重量轻、引出线和焊点少、寿命长、可靠性高、性能好等优点，同时成本低，便于大规模生产。它不仅广泛应用于录音机、电视机、计算机等工业和民用电子设备，还广泛应用于军事、通讯和遥控等领域。用集成电路组装电子设备，组装密度可以比晶体管高几十到几千倍，设备的稳定工作时间也可以大大提高。
在电路中用字母“IC”表示(也用符号“N”等表示。).
【编辑本段】二。集成电路的分类
(一)按功能结构分类
根据功能和结构的不同，集成电路可以分为三类:模拟集成电路、数字集成电路和数模混合集成电路。
模拟集成电路又称线性电路，用于产生、放大和处理各种模拟信号(指幅度随时间前沿变化的信号)。例如晶体管收音机的音频信号、录音机的磁带信号等。)，其输入信号与其输出信号成正比。而数字集成电路用于产生、放大和处理各种数字信号(指在时间和幅度上具有离散值的信号)。例如，由VCD和DVD回放的音频信号和视频信号)。
(二)按生产工艺分类
集成电路根据其制造工艺可分为半导体集成电路和薄膜集成电路。
薄膜集成电路分为厚膜集成电路和薄膜集成电路。
(三)按一体化程度分类
集成电路可分为小规模集成电路、中规模集成电路、大规模集成电路、超大规模集成电路、超大规模集成电路和超大规模集成电路。
(四)按导电类型的不同分类
集成电路按导电类型可分为双极集成电路和单极集成电路，两者都是数字集成电路。
双极集成电路制造工艺复杂，功耗大，也就是说有TTL、ECL、HTL、LST-TL、STTL等类型的集成电路。单极集成电路制造工艺简单，功耗低，易于做成大规模集成电路。代表性的集成电路有CMOS、NMOS和PMOS。
(5)按目的分类
集成电路按用途可分为电视用集成电路、音响用集成电路、DVD播放机用集成电路、录像机用集成电路、计算机(微型计算机)用集成电路、电子琴用集成电路、通信用集成电路、照相机用集成电路、遥控器用集成电路、语言用集成电路、报警器用集成电路和各种专用集成电路。
1.电视集成电路包括行和场扫描集成电路、中间放大器集成电路、音频集成电路、彩色解码集成电路、AV/TV转换集成电路、开关电源集成电路、遥控集成电路、李因解码集成电路、画中画处理集成电路、微处理器(CPU)集成电路、存储器集成电路等。
2.音频集成电路包括AM/FM高中频电路、立体声解码电路、音频前置放大电路、音频运算放大器集成电路、音频功率放大器集成电路、环绕声处理集成电路、电平驱动集成电路、电子音量控制集成电路、延迟混响集成电路、电子开关集成电路等。
3.用于DVD播放机的集成电路包括系统控制集成电路、视频编码集成电路、MPEG解码集成电路、音频信号处理集成电路、音效集成电路、射频信号处理集成电路、数字信号处理集成电路、伺服集成电路、电机驱动集成电路等。
4.录像机的集成电路包括系统控制集成电路、伺服集成电路、驱动集成电路、音频处理集成电路和视频处理集成电路。
(六)根据申请领域
集成电路根据应用领域可分为标准通用集成电路和专用集成电路。
(七)根据外貌。
集成电路可分为圆形(金属壳晶体管封装型，一般适用于大功率)、扁平型(稳定性好，体积小)和双列直插型。
【编辑本段】三。集成电路发展简史
1.世界集成电路发展史
1947:贝尔实验室肖克利等人发明了晶体管，这是微电子技术发展的第一个里程碑；
1950:结型晶体管诞生；
1950: R Ohl和Shortley发明了离子注入工艺；
1951年:场效应晶体管被发明；
1956:C·S·富勒发明了扩散过程；
1958:飞兆公司的罗伯特·诺伊斯和德仪公司的基尔比每隔几个月就发明了集成电路，创造了世界微电子的历史。
1960:H·H·洛尔和E·卡斯泰拉尼发明了平版印刷工艺；
1962:美国RCA公司研发MOS场效应晶体管；
1963: F.M.Wanlass和C.T.Sah首次提出CMOS技术。今天，95%以上的集成电路芯片都是基于CMOS技术。
1964:英特尔摩尔提出摩尔定律，预测晶体管集成度每18个月增加1倍；
1966:美国RCA公司开发CMOS集成电路，研制出第一个门阵列(50门)；
1967:应用材料公司创立，现已成为全球最大的半导体设备制造公司；
1971年:Intel推出1kb动态随机存储器(DRAM)，标志着大规模集成电路的出现；
1971年:世界上第一个微处理器4004是Intel公司推出的，采用了MOS技术，是里程碑式的发明；
1974: RCA公司推出首款CMOS微处理器1802；
1976: 16kb DRAM和4kb SRAM出来了；
1978: 64kb DRAM诞生，140000个晶体管集成在不到0.5平方厘米的硅片上，标志着VLSI时代的到来；
1979:英特尔推出5MHz 8088微处理器，随后IBM推出全球首款基于8088的PC；
1981年:256kb DRAM和64kb CMOS SRAM问世；
1984:日本宣布推出1Mb DRAM和256kb SRAM；
1985: 80386微处理器出来，20MHz；
1988: 16M DRAM问世，在1 cm 2大小的硅片上集成了3500万个晶体管，标志着超大规模集成电路(ULSI)的阶段；
1989: 1Mb DRAM入市；
1989: 486微处理器推出25MHz，1μm工艺，后来50MHz芯片采用0.8μm工艺；
1992: 64M位随机存储器出来了；
1993:推出66MHz奔腾处理器，采用0.6μm工艺；
1995:奔腾Pro，133MHz，采用0.6-0.35μm工艺；
1997: 300MHz奔腾II出来了，采用0.25μm工艺；
1999:奔腾三出来450MHz，用的是0.25μm工艺，之后是0.18μm工艺；
2000年:1Gb RAM投放市场；
2000年:奔腾4出来了，1.5GHz，采用0.18μm工艺；
2001:英特尔宣布将在2001下半年采用0.13μm工艺。
2.中国集成电路发展史
中国集成电路产业诞生于20世纪60年代，经历了三个发展阶段:
1965 -1978:以支持计算机和军工产业为目标，以发展逻辑电路为主要产品，初步建立了集成电路的产业基础和相关设备、仪器、材料的配套条件；
1978 -1990:以进口美国二手设备为主，提升集成电路装备水平，同时以消费整机为配套重点，较好地解决了彩电集成电路国产化问题；
1990 -2000:以908工程和909工程为重点，以CAD为突破口，抓好科技攻关和北方研发基地建设，服务信息产业，集成电路产业取得新进展。
【编辑本段】四。集成电路的封装类型
1、BGA(球栅阵列)
球形接触显示器，表面贴装封装之一。在印刷基板的背面制作球形凸点代替引脚，在印刷基板的正面组装LSI芯片，然后用模塑树脂或灌封密封。也称为凸块展示载体(PAC)。引脚可以超过200个，这是多引脚LSI的封装。封装体也可以做得比QFP更小(四边引脚扁平封装)。比如一个引脚中心距为1.5mm的360引脚BGA，只有31mm见方；引脚中心距为0.5毫米的304引脚QFP为40平方毫米。而且BGA不用像QFP那样担心管脚变形。该软件包由美国摩托罗拉公司开发，首先在便携式电话和其他设备中采用，未来可能在美国的个人电脑中推广。最初BGA的引脚(凸点)中心距为1.5mm，引脚数为225个。现在一些LSI厂商正在开发500针BGA。BGA的问题是回流焊后的目测。尚不清楚这是否是一种有效的目视检查方法。有些人认为，由于焊接中心之间的距离很大，连接可以视为稳定，只能通过功能检查来处理。美国摩托罗拉公司把用模塑树脂密封的封装称为OMPAC，把用灌封方法密封的封装称为GPAC(见OMPAC和GPAC)。
2、BQFP(带缓冲器的方形扁平封装)
带缓冲垫的四边引脚扁平封装。QFP封装之一，在封装体的四角设置凸点(缓冲垫)，防止引脚在运输过程中弯曲变形。美国半导体厂商主要在微处理器、ASIC等电路中使用这种封装。引脚中心距为0.635毫米，引脚数量范围为84至196(见QFP)。
4、碳-(陶瓷)
表示陶瓷包装的标记。例如，CDIP代表陶瓷蘸酱。这是实践中经常使用的一个符号。
5、Cerdip
ECL RAM、DSP(数字信号处理器)等电路采用玻璃密封的陶瓷双列直插式封装。带玻璃窗的Cerdip用于紫外擦除EPROM和内置EPROM的微机电路。引脚中心距为2.54mm，引脚数量范围为8至42个。在日本，这种封装被称为DIP-G(G表示玻璃密封)。
6、Cerquad
一种表面贴装封装，即具有下密封的陶瓷QFP，用于封装DSP等逻辑LSI电路。带窗口的Cerquad用于封装EPROM电路。散热优于塑料QFP，自然风冷条件下可允许1.5 ~ 2W的功率。但包装成本比塑料QFP高3 ~ 5倍。插针中心距1.27mm，0.8mm，0.65mm，0.5mm，0.4mm等规格。管脚的数量范围从32到368。
带引脚的陶瓷芯片载体是一种表贴封装，以T形从封装的四个侧面引出。窗口用于封装紫外可擦EPROM和带有EPROM的微机电路。这个包也叫QFJ和QFJ-g(见QFJ)。
8、COB(板上芯片)
板上芯片封装是裸芯片安装技术之一。半导体芯片贴附在印刷电路板上，芯片与基板之间的电连接通过线缝合实现，芯片与基板之间的电连接通过线缝合实现，并用树脂覆盖以保证可靠性。虽然COB是最简单的裸片贴装技术，但其封装密度远不及TAB和倒装焊技术。
9、DFP(双扁平封装)
双面引脚扁平封装。它是SOP的别称(参见SOP)。这个名词以前用过，现在基本不用了。
10、DIC(双列直插式陶瓷封装)
陶瓷DIP(包括玻璃密封)的另一个名称(参见DIP)。
11、DIL(双列直插式)
DIP的另一个名称(参见DIP)。欧洲半导体制造商经常使用这个名称。
12、DIP(双列直插式封装)
双列直插式封装。其中一种插件封装，引脚从封装两侧引出，封装材料为塑料和陶瓷。DIP是最流行的插件封装，应用范围包括标准逻辑ic、存储器LSI、微机电路等。引脚中心距为2.54mm，引脚数量从6个到64个不等。封装宽度通常为15.2 mm，一些宽度为7.52mm和10.16mm的封装分别称为skinny DIP和slim DIP。但多数情况下并不区分，简单称为DIP。另外，用低熔点玻璃密封的陶瓷DIP也叫cerdip(见cerdip)。
13、DSO(双小外棉)
双引脚小型封装。SOP的别称(见SOP)。一些半导体制造商采用这个名称。
14、DICP(双带载体封装)
双面引脚加载封装。TCP(板载封装)之一。引线制作在绝缘带上，从封装的两侧引出。因为采用了TAB(自动有载焊接)技术，所以封装外形很薄。常用于液晶显示驱动LSI，但多为定制产品。此外，0.5mm厚的存储器LSI薄封装正在开发阶段。在日本，根据EIAJ(日本电子机械工业)的标准，DICP被命名为DTP。
15、DIP(双载带封装)
同上。DTCP在日本电子机械工业协会标准中的命名(见DTCP)。
16、FP(扁平封装)
扁平封装。表面贴装封装之一。QFP或SOP的别称(参见QFP和SOP)。一些半导体制造商采用这个名称。
17、倒装芯片
翻转芯片。裸片封装技术之一是在LSI芯片的电极区域制作金属凸点，然后通过压焊将金属凸点与印刷基板上的电极区域连接起来。封装的尺寸与芯片尺寸基本相同。它是所有封装技术中最小最薄的。但是，如果基板的热膨胀系数与LSI芯片的热膨胀系数不同，那么在接合处就会产生反作用，影响连接的可靠性。所以需要用树脂加固LSI芯片，使用热膨胀系数基本相同的基板材料。
18、FQFP(细间距四方扁平封装)
小销中心距QFP。通常引导脚中心距离小于0.65毫米的QFP(见QFP)。一些导体制造商采用这个名称。
19、CPAC(球顶焊盘阵列载体)
美国摩托罗拉对BGA的别称(见BGA)。
20、CQFP(带保护环的方形扁平封装)
带保护环的四面引脚扁平封装。其中一个塑料QFP，引脚覆盖有树脂保护环，以防止弯曲和变形。在将LSI组装到印刷基板上之前，将引脚从保护环上切下，制成鸥翼(L型)。这种包装已经在美国摩托罗拉批量生产。引脚中心距为0.5mm，最大引脚数约为208个。
21、H-(带散热器)
表示带有散热器的标记。例如，HSOP代表带散热器的SOP。
22、针栅阵列(表面安装型)
表面贴装PGA。通常情况下，PGA为插件封装，引脚长度约为3.4 mm，表面贴装PGA在封装底面有一个类似显示器的引脚，长度范围为1.5mm-2.0mm，贴装采用与印刷基板凸点焊接的方式，因此也称为凸点焊接PGA。因为管脚中心距只有1.27mm，比插件PGA小一半，所以封装体可以做得没那么大，管脚数比插件PGA多(250 ~ 528)，所以是大规模逻辑LSI的封装。封装基板包括多层陶瓷基板和玻璃环氧树脂印刷基板。由多层陶瓷基板制成的包装已经投入实际使用。
23、JLCC(J形引线芯片载体)
J-pin芯片载体。指CLCC带窗和陶瓷QFJ带窗的别称(见CLCC和QFJ)。一些半导体制造商采用的名称。
24、LCC(无引线芯片载体)
无引线芯片载体。指陶瓷基板的四个侧面仅与电极接触而没有引线的表面安装封装。这是一种高速高频集成电路封装，也称为陶瓷QFN或QFN-C(见QFN)。
25、LGA(陆地栅格阵列)
接触显示包。也就是说，在底表面上制造具有阵列状态扁平电极触点的封装。组装时插入插座即可。具有227个触点(1.27毫米中心距)和447个触点(2.54毫米中心距)的陶瓷LGA已应用于高速逻辑大规模集成电路。与QFP相比，LGA可以在更小的封装中容纳更多的输入和输出引脚。另外，由于引线的阻抗很小，非常适合高速LSI。但由于插座的复杂性和高成本，现在基本不用了。预计将来对它的需求会增加。
26、LOC(芯片上引线)
芯片上的引线封装。LSI封装技术之一，引线框架前端在芯片上方，在芯片中心附近做一个凸点焊点，通过引线拼接实现电连接。与引线框架靠近芯片侧边布置的原始结构相比，容纳在相同尺寸封装中的芯片的宽度约为1 mm。
27、LQFP(薄型四方扁平封装)
瘦QFP。封装体厚度为1.4mm的QFP是日本电子机械工业协会根据新QFP外形规格使用的名称。
28、L-QUAD
陶瓷QFP之一。用于封装基板的氮化铝热导率比氧化铝高7 ~ 8倍，散热性好。封装框架由氧化铝制成，芯片通过灌封方法密封，从而抑制了成本。它是为逻辑LSI开发的封装，在自然风冷下可以耐受W3的功率。目前已开发出208引脚(中心距0.5mm)和160引脚(中心距0.65mm)的LSI逻辑封装，并于1993年6月投入量产。
29、多芯片模块
多芯片模块。一种封装，其中多个裸半导体芯片被组装在布线基板上。根据基板材料可分为三类:MCM-L、MCM-C和MCM-D，MCM-L是采用普通玻璃环氧多层印刷基板组装而成。布线密度不是很高，成本低。MCM-C是采用厚膜技术，以陶瓷(氧化铝或玻璃陶瓷)为基板形成多层布线的元件，类似于多层陶瓷基板的厚膜混合集成电路。两者没有明显区别。布线密度高于MCM-L。
MCM-D是采用薄膜技术形成的多层布线，以陶瓷(氧化铝或氮化铝)或Si和Al作为基板的成分。布线共谋是三个组件中最高的，但成本也高。
30、MFP(迷你平板包装)
小型扁平封装。塑料SOP或SSOP的别称(见SOP和SSOP)。一些半导体制造商采用的名称。
31、MQFP(公制四方扁平封装)
根据JEDEC标准对QFP的分类。导向标准QFP，中心距0.65mm，体厚3.8 mm ~ 2.0 mm(见QFP)。
32、MQUAD(金属方形)
美国奥林公司开发的QFP软件包。基板和盖子都由铝制成，并用粘合剂密封。自然风冷的情况下可以允许2.5W~2.8W的功率。日本新光电气工业株式会社于1993获得投产许可。
33、MSP(迷你方形封装)
QFI的另一个名字(见QFI)在发展的早期阶段通常被称为MSP。QFI是日本电子机械工业协会规定的名称。
34、OPMAC(包覆成型焊盘阵列载体)
模制树脂密封凸块显示载体。美国摩托罗拉公司采用的模制树脂密封BGA的名称(见BGA)。
35、P-(塑料)
表示塑料包装的标记。例如，PDIP代表塑料蘸。
36、PAC(焊盘阵列载体)
凸点显示载体，BGA的别称(见BGA)。
37、PCLP(印刷电路板无引线封装)
印刷电路板的无铅封装。日本富士通公司使用的塑料QFN(塑料LCC)的名称(见QFN)。向导
有两种规格:离脚中心0.55mm和0.4mm。目前正处于开发阶段。
38、PFPF(塑料扁平包装)
塑料扁平封装。塑料QFP的别称(见QFP)。一些LSI制造商采用的名称。
39、PGA(针栅阵列)
显示pin包。其中一个插件封装，其底面的垂直引脚排列成阵列。基本上，封装基板采用多层陶瓷基板。大部分是陶瓷PGA，用于高速大规模逻辑LSI电路。成本较高。引脚中心距通常为2.54mm，引脚数量从64到447不等。为了降低成本，封装基板可以用玻璃环氧印刷基板代替。还有64 ~ 256针的塑料PG A。此外，还有一个短引脚表面贴装PGA(凸点焊接PGA)，引脚中心距为1.27 mm(见表面贴装PGA)。
40、背着
背负式包裹。指带插座的陶瓷封装，类似DIP、QFP、QFN。它用于评估用微型计算机开发设备时的程序确认操作。例如，将EPROM插入插座进行调试。这种包装基本都是定制的，在市场上也不是很受欢迎。
41、PLCC(塑料引线芯片载体)
带引线的塑料芯片载体。表面贴装封装之一。引脚从封装的四边引出，呈T型，为塑料制品。德州仪器最早用于64k位DRAM和256kDRAM，现在已经广泛应用于逻辑LSI、DLD(或程序逻辑器件)等电路中。针中心距为1.27mm，针数从18到84不等。j型销不易变形，比QFP更容易操作，但焊后外观检查难度较大。PLCC类似于LCC(也称为QFN)。以前两者唯一的区别就是前者用塑料，后者用陶瓷。但是已经出现了陶瓷材质的J形引线封装和塑料材质的无引线封装(标注为塑料LCC、PC LP、P-LCC等。)，已经无法分辨了。因此，日本电子机械工业协会在1988中决定将四边带有J形引线的封装称为QFJ，将四边带有电极凸点的封装称为QFN(见QFJ和QFN)。
42、P-LCC(塑料无引线芯片载体)(塑料引线芯片载体)
有时它是塑料QFJ的另一个名称，有时它是塑料LCC的另一个名称(见QFJ和QFN)。部分
LSI制造商用P-LCC表示引线封装，用P-LCC表示无引线封装，以示区别。
43、QFH(四方扁平高封装)
四面引线厚扁平封装。一种塑料QFP，为了防止包装体破裂，QFP体做得更厚(见QFP)。一些半导体制造商采用的名称。
44、QFI(四方扁平I引脚封装)
四边I形引脚扁平封装。表面贴装封装之一。引脚从封装的四边引出，向下呈工字形。也称为MSP(参见MSP)。安装件通过凸块焊接与印刷基板连接。因为销没有突出部分，所以安装所占据的表面积小于QFP。日立开发并使用了这种用于视频模拟IC的封装。此外，日本摩托罗拉的PLL集成电路也采用这种封装。针中心距为1.27mm，针数从18到68不等。
45、QFJ(四方扁平J引脚封装)
四边J引脚扁平封装。表面贴装封装之一。引脚从封装的四个侧面引出，向下呈J形。是日本电子机械工业协会规定的名称。销中心距为1.27毫米
有两种材料:塑料和陶瓷。大多数情况下，塑料QFJ被称为PLCC(见PLCC)，用于微型计算机、门极显示器、DRAM、ASSP、OTP等电路。管脚数的范围从18到84。
陶瓷QFJ也被称为CLCC和JLCC(见CLCC)。带窗口的封装用于紫外擦除EPROM和带EPROM的微机芯片电路。引脚的数量范围从32到84。
46、QFN(四方扁平无引脚封装)
四边无引脚扁平封装。表面贴装封装之一。现在常被称为LCC。QFN是日本电子机械工业协会规定的名称。封装的四个侧面配备有电极触点。因为没有引脚，安装面积比QFP小，高度比QFP低。然而，当应力出现在印刷基板和封装之间时，它不能在电极接触处被释放。所以很难做出和QFP管脚一样多的电极触点，一般从14到100。有两种材料:陶瓷和塑料。当有LCC标志时，它基本上是陶瓷QFN。电极接触中心之间的距离为1.27毫米
塑料QFN是一种低成本的玻璃环氧树脂印刷基板封装。除了1.27mm，还有0.65mm和0.5 mm两种电极接触中心距，这种封装也叫塑料LCC、PCLC、P-LCC等。
47、QFP(四方扁平封装)
四边引脚扁平封装。一种表面安装封装，引线以鸥翼(L)的形状从四个侧面引出。有三种基底:陶瓷、金属和塑料。从数量上来说，塑料包装占绝大多数。当没有指定材料时，大多数情况下是塑料QFP。塑料QFP是最流行的多引脚LSI封装。不仅用于微处理器、门极显示器等数字逻辑LSI电路，也用于VTR信号处理、音频信号处理等模拟LSI电路。插针中心距1.0mm，0.8mm，0.65mm，0.5mm，0.4mm，0.3mm等规格。0.65毫米中心距规格中的最大引脚数为304。
在日本，针中心距小于0.65毫米的QFP称为QFP。但是现在日本电子机械工业协会已经重新评估了QFP的外部规格。引脚中心距没有区别，但根据封装体厚度分为三种:QFP (2.0 mm ~ 3.6 mm厚)、LQFP(1.4mm厚)、TQFP(1.0mm厚)。
此外，一些LSI制造商将引脚中心距离为0.5毫米的QFP称为收缩QFP或SQFP和VQFP。但也有厂商将插针中心距为0.65mm和0.4mm的QFP称为SQFP，让名字有点混乱。QFP的缺点是当销钉中心距小于0.65mm时，销钉容易弯曲。为了防止销子变形，出现了几个改良的QFP品种。如包装四角有树指垫的BQFP(见BQFP)；GQFP，引脚前端覆盖有树脂保护环(见GQFP)；TPQFP(见TPQFP)可以通过在封装体中设置测试凸点并将其放置在专用夹具中以防止引脚变形来测试。在逻辑大规模集成电路中，许多开发产品和高可靠性产品都封装在多层陶瓷QFP中。最小引脚中心距0.4mm，最大引脚数348的产品也出来了。此外，还提供用玻璃密封的陶瓷QFP(见Gerqa d)。
48、QFP(FP)(QFP精投)
中心距小的QFP。日本电子机械工业协会标准中规定的名称。导脚中心距小于0.65毫米的QFP(见QFP)，如0.55毫米、0.4毫米、0.3毫米等。
49、QIC(四路直插陶瓷封装)
陶瓷QFP的别称。一些半导体制造商采用的名称(见QFP和Cerquad)。
50、QIP(四方直插塑料封装)
塑料QFP的别称。一些半导体制造商采用的名称(见QFP)。
51、QTCP(四带载体封装)
四面引线封装。一种TCP封装，引脚形成在绝缘带上，从封装的四个侧面引出。它是一种得益于TAB技术的薄型封装(参见TAB，TCP)。
52、QTP(四带载体封装)
四面引线封装。日本电子机械工业协会在1993年4月对QTCP的形状规范使用的名称(见TCP)。
53、QUIL(四路直插式)
QUIP的另一个名称(参见QUIP)。
54、QUIP(四路直列组件)
四列引脚直插式封装。引脚从封装的两侧引出，每隔一个引脚交错向下弯成四列。引脚的中心距为1.27毫米，当插入印刷电路板时，中心距变为2.5毫米..因此，它可用于标准印刷电路板。这是一个比标准DIP更小的封装。NEC在台式电脑、家用电器等微机芯片中采用了某种封装。有两种材料:陶瓷和塑料。引脚数为64。
55、SDIP(收缩双列直插式封装)
收缩DIP插件封装之一，外形与DIP相同，但引脚中心距(1.778mm)小于DIP(2.54 mm)。
所以，叫这个。管脚数的范围从14到90。还有那些叫sh-dip的。材料有陶瓷和塑料。