询问半导体行业的发展历史

新中国发展至今，中国半导体积累了几代人的心血。之前的努力和挫折，不仅奠定了中国半导体产业的基础，也拉开了先进国家的距离。回顾中国半导体产业留下的足迹，相信在新的时代，中国半导体产业会有新的发展。1947年，贝尔实验室发明了半导体点接触晶体管，从而开启了人类硅文明时代。1956，中国提出“向科学进军”。根据国外发展电子器件的进展，提出我国也要研究半导体科学，半导体技术被列为国家四大应急措施之一。中国科学院应用物理研究所首次举办半导体器件短期培训班。邀请黄昆、吴希久、黄畅、林兰英、王守武、程忠志等归国半导体专家讲授半导体理论、晶体管制造技术和半导体电路。北京大学、复旦大学、吉林大学、厦门大学、南京大学五所高校联合设立北京大学半导体物理专业，共同培养第一批半导体人才。培养了第一批著名教授:北京大学黄昆、复旦大学谢希德、吉林大学高定三。1957毕业的第一批研究生中有中国科学院院士王阳元(北京大学微电子研究所所长)、工程院院士徐菊燕(华晶集团中央研究院院长)、电子工业部总工程师俞忠禹(北方华虹设计公司董事长)。1957年北京电子管厂还原氧化锗拉出锗单晶。锗晶体管由中国科学院应用物理研究所和二机部十局十一所研制。当时中国先后研制出锗点接触二极管和三极管(晶体管)。从65438年到0958年，德州仪器和飞兆分别开发发明半导体集成电路(IC)后，发展非常迅速，从SSI(小规模集成电路)开始，经过MSI(中规模集成电路)，发展到LSI(大规模集成电路)，再到最近发展到VLSI(超大规模集成电路)和ULSI(超大规模集成电路)。1959年，天津生产硅(Si)单晶。1960年，中国科学院在北京成立半导体研究所，同年在河北成立第十三所产业专业化研究所(河北半导体研究所)。1962年，在天津生产出砷化镓单晶(GaAs)，为其他化合物半导体的研究和制备奠定了基础。1962年，中国研究了硅的外延工艺，开始研究光刻工艺。1963年，河北半导体研究所做出硅平面晶体管。1964年，河北半导体研究所研制出硅外延平面晶体管。1965 65438+2月，河北省半导体研究所召开鉴定会，鉴定第一批半导体管，在国内首次鉴定DTL数字逻辑电路。1966年底，TTL电路产品通过上海元件五厂鉴定。这些小规模双极数字集成电路主要是与非门，以及与非门驱动器、与门、或非门、或门、与非门电路。标志着中国制造出了自己的小规模集成电路。1968年，国营东方光电厂(878厂)和上海无线电十九厂成立，1970年建成投产，形成中国集成电路行业“两霸”。