半导体的发展历史

1833年，电子学之父英国科学家法拉第首先发现硫化银的电阻随温度的变化与普通金属不同。一般来说，金属的电阻随着温度的升高而增大，但是巴拉迪发现硫化银材料的电阻随着温度的升高而减小。这是第一次发现半导体现象。

很快，在1839年，贝克勒发现半导体和电解质接触形成的结在光照下会产生电压，这就是后来人们所说的光伏效应，这是所发现的半导体的第二个特性。

1873年，英国的Smith发现了硒晶体材料在光照下电导增大的光电导效应，这是半导体的另一个独特性质。虽然半导体的这四种效应(四种伴生效应的发现，简夏霍尔效应的剩余成果)是在1880年之前相继发现的，但半导体这个术语最早是由Kauniberg和Weiss在大约1911年前使用的。总结半导体的这四个特性，贝尔实验室直到6月1947+2月才完成。

在1874中，布劳恩观察到某些硫化物的电导与所加电场的方向有关，即其导电性是有方向性的，在其两端加一个直流电压就导电；电压极性反了就不导电，这是半导体的整流效应，也是半导体特有的第三个特性。同年，舒斯特发现了铜和氧化铜的整流效应。

很多人会问，为什么半导体要这么多年才被认可？主要原因是当时的材料不纯。没有好的材料，很多和材料有关的问题很难解释清楚。如果你有兴趣，可以看看罗伯特·W·卡恩(Robert W.Cahn)的《材料科学的来临》(The coming of Materials Science)中关于半导体的一些解释。