CMOS门电路输入高电平和低电平电压有什么规定吗？

比如1，就和芯片类型有关。74hcxx输入的高电平和低电平之间的界限在0.3和0.7 vdd之间。如果电源电压为5v，则1.5v和3.5v之间的边界视为合格。所以1.5v以下肯定是输入低电平，3.5v以上肯定是输入高电平，而1.5v到3.5v无法确定。所以ttl芯片不能直接驱动高速cmos，高速cmos可以直接驱动ttl。

2，74 hctxx另有规定，兼容ttl电平，不同于74hcxx。各种单片机的输入高低电平与此略有不同。

扩展数据:

CMOS逻辑历史

1，早期只有一种“4000系列”逻辑元件(RCA'COS/MOS '工艺)。到了后来的“7400系列”，很多逻辑芯片已经可以用CMOS、NMOS甚至BiCMOS(双载流子互补金属氧化物半导体)工艺实现了。

2.与主要竞争对手BJT相比，早期的CMOS元件很容易被静电放电(ESD)损坏。大多数新一代CMOS芯片都在I/O引脚、电源和接地端配备了ESD保护电路，以防止内部电路元件的栅极或元件中的PN结被ESD引起的大量电流烧毁。

3.另外，早期的CMOS逻辑元件(如4000系列)的工作范围可以从3伏到18伏DC，所以CMOS元件的栅极是用铝制作的。

4.多年来，大多数由CMOS制成的逻辑芯片大多工作在5伏的TTL标准规范下。直到1990，越来越多的低功耗要求和信号规范出现，用简单的信号接口代替TTL，但其功耗和速度都跟不上时代的需求。

5.另外，随着MOSFET器件的尺寸越来越小，栅氧化层的厚度也越来越薄，它所能承受的栅电压也越来越低。一些最新的CMOS工艺甚至具有低于1V的工作电压。这些变化不仅让CMOS芯片进一步降低功耗，也让元器件的性能越来越好。

6.2004年后，一些新的研究开始使用金属栅，但大多数工艺主要是多晶硅栅。关于栅结构的改进，有许多研究集中在使用不同的栅氧化材料代替二氧化硅，例如使用高介电材料，以降低栅漏电流。

参考资料:

百度百科-级

参考资料:

百度百科-CMOS电路