集成电路产业包括什么

1947:贝尔实验室肖特利等人发明了晶体管，这是微电子技术发展的第一个里程碑；集成电路

1950:结型晶体管诞生；1950: R Ohl和Shortley发明了离子注入工艺；1951年:场效应晶体管被发明；1956:C·S·富勒发明了扩散过程；1958:飞兆公司的罗伯特·诺伊斯和德仪公司的基尔比每隔几个月就发明了集成电路，创造了世界微电子的历史。1960:H·H·洛尔和E·卡斯泰拉尼发明了平版印刷工艺；1962:美国RCA公司研发MOS场效应晶体管；1963: F.M.Wanlass和C.T.Sah首次提出CMOS技术。今天，95%以上的集成电路芯片都是基于CMOS技术。1964:英特尔摩尔提出摩尔定律，预测晶体管集成度每18个月增加1倍；1966:美国RCA公司开发CMOS集成电路，研制出第一个门阵列(50门)；1967:应用材料公司创立，现已成为全球最大的半导体设备制造公司；1971年:Intel推出1kb动态随机存储器(DRAM)，标志着大规模集成电路的出现；1971年:世界上第一个微处理器4004是Intel公司推出的，采用了MOS技术，是里程碑式的发明；1974: RCA公司推出首款CMOS微处理器1802；1976: 16kb DRAM和4kb SRAM出来了；1978: 64kb DRAM诞生，140000个晶体管集成在不到0.5平方厘米的硅片上，标志着VLSI时代的到来；1979:英特尔推出5MHz 8088微处理器，随后IBM推出全球首款基于8088的PC；1981年:256kb DRAM和64kb CMOS SRAM问世；1984:日本宣布推出1Mb DRAM和256kb SRAM；1985: 80386微处理器出来，20MHz；1988: 16M DRAM问世，3500万个晶体管集成在1 cm 2大小的硅片上，标志着进入VLSI阶段；1989: 1Mb DRAM入市；1989: 486微处理器推出25MHz，1μm工艺，后来50MHz芯片采用0.8μm工艺；1992: 64M位随机存储器出来了；1993:推出66MHz奔腾处理器，采用0.6μm工艺；1995:奔腾Pro，133MHz，采用0.6-0.35μm工艺；集成电路

1997: 300MHz奔腾II出来了，采用0.25μm工艺；1999:奔腾三出来450MHz，用的是0.25μm工艺，之后是0.18μm工艺；2000年:1Gb RAM投放市场；2000年:奔腾4出来了，1.5GHz，采用0.18μm工艺；2001:英特尔宣布将在2001下半年采用0.13μm工艺。2003年:奔腾4 E系列上市，采用90nm工艺。2005年:英特尔酷睿2系列上市，采用65纳米工艺。2007年:基于全新45纳米高K制程的英特尔酷睿2 E7/E8/E9上市。2009年:英特尔酷睿I系列新上市，采用破纪录的32纳米工艺，下一代22纳米工艺正在研发中。

中国集成电路发展史

中国集成电路产业诞生于20世纪60年代，* * *经历了三个发展阶段:1965 -1978:以支持计算机和军工为目标，以发展逻辑电路为主要产品，初步建立了相关设备、仪器、材料的集成电路产业基础和配套条件；1978 -1990:以进口美国二手设备为主，提升集成电路装备水平，同时以消费整机为配套重点，较好地解决了彩电集成电路国产化问题；1990 -2000:以908工程和909工程为重点，以CAD为突破口，抓好科技攻关和北方研发基地建设，服务信息产业，集成电路产业取得新进展。