Xi安理工水晶科技有限公司的历史业绩
1972年，我国第一台具有等径控制功能的TDK-40单晶炉研制成功。
1980年，我国第一台高温氧化物晶体炉——SJ78-3激光晶体炉研制成功。
1983年，我国第一台软轴拉晶生长设备TDR-50单晶炉研制成功。
1984年，我国第一台光纤拉丝设备——SJ 81-4光纤拉丝炉研制成功。
1990年，我国第一台化合物半导体生长设备——TDR-GY30高压单晶炉研制成功。
1990年，我国第一台大直径4区熔晶体生长设备——TDL-FZ35区熔单晶炉研制成功。
1994年，我国第一台MCZ晶体生长设备——TDR-50AC磁场单晶炉研制成功。
1994年，我国第一台大直径锗晶体生长设备——TDR-60 CPA锗单晶炉研制成功。
1995年，我国第一台晶体生长设备高精度计算机等径控制系统——TDR-62A(B)单晶炉研制成功。
1995年，我国第一台大型晶体生长设备——TDR-90X晶体炉研制成功。
1996年，我国第一台VGF晶体生长设备——TDR-ZY40B中压单晶炉研制成功。
1997年，我国第一台直径为8的晶体生长设备——TDR-80单晶炉研制成功。
1998年，我国第一台专用晶体生长设备——DR-70单晶炉研制成功。
1999年，我国第一台高精度光学晶体设备——TDL-J75光学晶体炉研制成功。
2000年，我国第一台三温非线性光学晶体炉——TDR-Y60A光学晶体炉研制成功。
2000年，中国第一台光学晶体生长炉TDL-J50研制成功。
2000年，中国第一台铌酸锂和钽酸锂专用晶体生长设备——TDL-N60晶体炉研制成功。
2001年，我国第一台大直径光学晶体生长炉——TDL-J60光学晶体炉研制成功。
2001年，我国第一台生长φ 300-400 mm大直径锗单晶的设备——TDR-Z80锗单晶炉研制成功。
2001，稀土金属提纯设备——TDL-FZ50晶体炉研制成功。
2002年，生长碳化硅晶体的设备——TDL-16A碳化硅炉研制成功。
2002年，化学计量比铌酸锂晶体设备——TDR-H50C晶体炉研制成功。
2004年，4-6台GaAs晶体设备——TDR-gy 652高压晶体炉研制成功。
2005-2006年，多晶硅生产的辅助设备——TDL-GX36、TDL-GX36A硅芯炉和TDL- FZ26、TDL-FZ26A磷硼检测仪相继研制成功。
2006年研制出国内第一台生长12大直径硅单晶的生长设备——TDR-120单晶炉。
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