相变存储器的发展历史
无定形物质是一种没有显示出明确有序的晶体结构的物质。
在1968中，他发现有些玻璃在相变时，电阻系数发生可逆变化。
在1969中，他发现激光在光存储介质中的反射率会随之发生变化。
1970年，他和妻子Iris Ovshinsky博士共同成立了一家能源转换设备(ECD)公司，并发布了他们与英特尔公司戈登·摩尔的合作成果。
1970年9月28日发表在《电子》杂志上的这篇文章描述了世界上第一个256位半导体相变存储器。
近30年后，能源转换设备公司(ECD)与MicronTechnology公司前副董事长泰勒·洛维里一起成立了新的子公司Ovonyx。
2000年2月，英特尔和Ovonyx发布了合作和许可协议，这是现代PCM研发的开始。
从5438年6月到2000年2月，意法半导体(ST)也开始与Ovonyx合作。
到2003年，上述三家公司将集中力量，避免重复的基础和竞争性研发和延伸领域的重复研究，以加快这项技术的进步。
2005年，ST和Intel宣布有意成立一家名为Numonyx的新闪存公司。
1970第一款产品问世后的几年里，半导体制造技术取得了长足的进步，推动了半导体相变存储器的发展。
与此同时，相变材料正变得越来越完善，以满足可重写CD和DVD的广泛使用。
英特尔研发的相变存储器使用硫属元素化物，元素周期表中含有氧/硫元素。
Numonyx的相变存储器使用了一种含有锗、锑、碲的合成材料(Ge2Sb2Te5)，也就是通常所说的GST。
现在大部分公司在研发相变存储器时，都使用GST或者类似的相关合成材料。
大多数DVD-RAM使用与Numonyx相变存储器相同的材料。
2011 8月31日，中国完成第一批基于相变存储器的产品芯片。
2015年，《自然光子学》杂志发表了世界上第一个可以长时间存储数据、完全基于光的相变存储器。