现代DDRSDRAM存储器的组成和特点

现代DDRSDRAM内存，容量为256MB，采用TSOP封装，速度为DDR400。本文将深入探讨现代DDRSDRAM存储器的组成和特点，以帮助读者更好地理解存储器。

记忆成分

存储器由8个芯片组成，芯片容量密度和刷新率为256M8K，接口类型为SSTL_2。

薄型小外形封装

存储器由TSOP封装，封装类型由“T”表示。

DDR400速度

内存速度是DDR400，属于高速内存。

内存参数

内存的存储芯片类型是DDR，加工工艺和电压是2.5V，内核代码是3代，能耗一般。