电阻器件的发展历史

简介

电子元器件是元器件和器件的总称。电子元器件:指在工厂生产加工过程中分子组成不发生变化的电子元器件。

成品。例如电阻器、电容器和电感器。因为不产生电子，对电压和电流没有控制和变换作用，所以也叫无源器件。电子器件:指在工厂生产加工过程中，分子结构发生变化的成品。如晶体管、电子管和集成电路。又称为有源器件，因为它能产生电子，控制和变换电压和电流(放大、开关、整流、检波、振荡和调制等。).根据分类标准，电子器件可分为12大类，可概括为真空电子器件和半导体器件。电子元器件的发展史，其实就是一部浓缩的电子发展史。电子技术是19世纪末20世纪初发展起来的新技术。它在20世纪发展最为迅速，应用最为广泛，成为现代科学技术发展的重要标志。

编辑本段分类介绍

摘要

1.元器件:工厂加工的产品是分子组成没有发生变化的产品，可以称为没有电子元件的元器件。

需要能源的设备。它包括:电阻、电容和电感。(也称PassiveComponents) (1)电路器件:二极管、电阻等。(2)连接设备:连接器、插座、连接电缆、印刷电路板(PCB) 2。器件:在工厂生产加工过程中分子结构发生变化的器件称为器件，分为:1和有源器件。其主要特点如下:2 .分立器件，分为(1)双极晶体管(2)场效应晶体管(3)晶闸管(4)半导体电阻器和电容器。

电阻

电阻在电路中用“R”加数字表示，例如R1表示编号为1的电阻。电路中电阻的主要作用有:分流、限流、分压、偏置等。

电容

电容在电路中一般用“C”加一个数字来表示(例如C13表示数字为13的电容)。电容是一种由两层金属膜组成的元件，这两层金属膜相互邻接，并由绝缘材料隔开。电容的特性主要是把DC和交流分开。电子元件。

电容是指可以储存的电能数量。电容称为容抗，与交流信号的频率和电容有关。

晶体管二极管

晶体二极管在电路中通常用“D”加数字来表示，例如D5用数字5来表示二极管。作用:二极管的主要特点是单向导通，即在直流电压作用下，导通电阻很小；但在反向电压的作用下，导通电阻极大或无穷大。由于上述特性，二极管常用于整流、隔离、稳压、极性保护、编码控制、频率调制和静态噪声等电路中。电话中使用的晶体二极管可分为整流二极管(如1N4004)和隔离二极管(如1N4108)

感应器

电感在电子制造中的应用并不广泛，但在电路中同样重要。我们认为电感和电容一样，也是一种储能元件，可以将电能转化为磁场能量，储存在磁场中。电感器的电子元件

表示其基本单位是亨利(H)，常用作毫亨(mH)的单位。它常与电容一起构成LC滤波器、LC振荡器等。此外，人们还利用电感的特性制造扼流圈、变压器、继电器等。

编辑这段组合电路

集成电路是利用特殊工艺将晶体管、电阻、电容等元件集成在一块硅衬底上形成的一种具有一定功能的器件。英文缩写为IC，也就是俗称的芯片。模拟集成电路主要是指由电容、电阻、晶体管等元件组成的用于处理模拟信号的集成电路。模拟集成电路有很多，比如集成运算放大器、比较器、对数和指数放大器、模拟乘法器(除法器)、锁相环、电源管理芯片等等。模拟集成电路的主要电路有:放大器、滤波器、反馈电路、参考电路、开关电容电路等。模拟集成电路设计主要是由有经验的设计人员通过人工电路调试和仿真获得，相应的数字集成电路设计大多是在EDA软件的控制下，利用硬件描述语言自动综合而成。数字集成电路是将元件和导线集成在同一半导体芯片上的数字逻辑电路或系统。根据数字集成电路中包含的门或元件和器件的数量，数字集成电路可以分为小规模集成(SSI)电路和中规模集成电子元件。

MSI电路，LSI电路，VLSI电路和ULSI电路。小规模集成电路包含不超过10个门或不超过100个元件；中规模集成电路包含10-100个门，或元件数为100-1000；大规模集成电路包含100个以上的门，或者元件数量在10至10之间；VLSI包含10000个以上的门，或者元件数量在10到10之间；VLSI中的元件数量在10到10之间。它包括:基本逻辑门、触发器、寄存器、解码器、驱动器、计数器、整形电路、可编程逻辑器件、微处理器、单片机、DSP等。

编辑此段落的发展历史

电子元器件的发展史，其实就是一部浓缩的电子发展史。电子技术是19世纪末20世纪初开始发展的新技术。它在20世纪发展最为迅速，应用最为广泛，成为现代科学技术发展的重要标志。电子元件

第一代电子产品以电子管为中心。20世纪40年代末，世界上诞生了第一只半导体三极管。它因体积小、轻便、省电、寿命长而被许多国家采用，并在很大范围内取代了电子管。20世纪50年代末，世界上出现了第一个集成电路，它将晶体管等许多电子元件集成在一个硅片上，使电子产品更加小型化。集成电路从小型集成电路迅速发展到大规模集成电路和超大规模集成电路，从而使电子产品向高效率、低功耗、高精度、高稳定性和智能化方向发展。因为电子计算机发展的四个阶段可以充分说明电子技术发展的四个阶段的特点，下面就从电子计算机发展的四个时代来说明电子技术发展的四个阶段的特点。

编辑这一段电子专用资料。

编辑本段中单个组件的标识。

电子元器件常用产品的识别。电阻和电阻在电路中用“R”加数字表示，例如R1用数字1表示电阻。电路中电阻的主要作用有分流、限流、分压、偏置等。1.参数识别:电阻的单位是欧姆(ω)，放大单位是千欧(kω)、兆欧(mω)等。换算方法为:1兆欧=1000千欧=1000000欧姆。电阻器的参数标记有三种方法，即直接标记法、颜色标记法和数字标记法。a、数标度法主要用于贴片等小体积电路，例如472表示47×100ω(即4.7K)；104表示100K b，使用最多的是色环标注法。例子如下:四色环形电阻五色环形电阻(精密电阻)2。色码位置与电阻放大倍数的关系如下表所示:颜色有效数字放大倍数允许偏差(%)银/x 0.01 10金/x0.1 5黑0+0/棕1 10 1红2x100 2橙3x1000/黄4x10电容器是由两层金属膜相互贴合并被绝缘材料隔开的元件。电容器的特性主要是阻隔DC和流通交流电。电容的大小意味着可以储存的电能的大小。电容对交流信号的阻断作用称为容抗，与交流信号的频率和电容有关。电容XC=1/2πfc(f代表交流信号的频率，c代表电容)电话中常用的电容类型有电解电容、陶瓷电容、贴片电容、单片电容、钽电容和聚脂电容。2.鉴别方法:电容的鉴别方法与电阻的鉴别方法基本相同，分为直接标准法、色标法、数标法三种。电容的基本单位是法拉(f)，其他单位有毫法(mF)、微法(uF)、纳法(nF)、皮法(pF)。其中:1法=103毫法=106微法=109纳法=1012皮法，容量大的电容器的电容值直接在电容器上标明。如10uF/16V，电容器的电容值用字母或数字表示。字母表示:1m = 1000 uf 1p 2 = 1.2 pf 1n = 1000 pf数字表示。例如102表示10×102 PF = 1000 PF 224表示22×104PF=0.22uF3，电容误差表符号FGJKLM的允许误差为1% 2% 5%。3.晶体二极管晶体二极管在电路中通常用“D”加数字来表示，例如，D5用数字5来表示二极管。1，作用:二极管的主要特点是单向导通，即在直流电压作用下，导通电阻很小；但在反向电压的作用下，导通电阻极大或无穷大。由于上述特性，二极管常用于无绳电话中的整流、隔离、稳压、极性保护、编码控制、频率调制和静态噪声等电路中。电话中使用的晶体二极管可分为整流二极管(如1N4004)、隔离二极管(如1N4148)、肖特基二极管(如BAT85)、发光二极管、齐纳二极管等。2.识别方法:二极管的识别非常简单。大部分小功率二极管的N极(负极)都用一个彩色圆圈标出。有的二极管还用二极管专用符号来表示P极(正极)或N极(负极)，有的用“P”、“N”等符号来确定二极管极性。发光二极管的正负极可以通过引脚的长度来识别，长引脚为正，短引脚为负。3.测试注意事项:用数字万用表测试二极管时，红色的表笔接在二极管的正极，黑色的表笔接在二极管的负极。此时测得的电阻就是二极管的正向导通电阻，与指针式万用表的触针连接正好相反。4.常用的1N4000系列二极管比较如下:型号11n 40021n 40031n 40041n 40051n 400665438。501002004006008001000电流(A)全是1。齐纳二极管在电路中通常用“ZD”加数字表示，例如，ZD5用数字5表示齐纳二极管。1、齐纳二极管的稳压原理:齐纳二极管的特点是击穿后两端电压基本保持不变。这样，当调压器接入电路时，如果电路中各点的电压因电源电压波动或其他原因而发生变化，负载两端的电压基本保持不变。2.故障特征:齐纳二极管的故障主要表现为开路、短路、稳压值不稳定。这三种故障中，前一种显示电源电压升高；后两种故障的特征是电源电压变低到零伏或输出不稳定。常用的齐纳二极管型号及调节值如下:型号1n 47281n 47291n 47301n 47321n 47331n 47341n 47351n 47465438。1N4761V。在电路中，电感通常用“L”加上数字来表示，例如，L6表示数字为6的电感。感应线圈是通过将绝缘线缠绕在绝缘骨架上一定圈数而制成的。直流可以通过线圈，直流电阻是导线本身的电阻，电压降很小；当交流信号通过线圈时，线圈两端会产生自感电动势，而自感电动势的方向与外加电压的方向相反，阻碍了交流的通过，所以电感的特性就是通过DC来抵抗交流，频率越高，线圈阻抗越大。电感和电容可以在电路中形成一个振荡电路。电感一般有直接校准法和颜色校准法，颜色校准法类似于电阻。比如棕色、黑色、金色、金色代表1uH的电感(误差5%)。电感的基本单位为亨(h)，换算单位为:1h = 103 MH = 106 uh。不及物动词变容二极管是根据普通二极管中“PN结”的结电容会随着所加反向电压的变化而变化的原理设计的一种特殊二极管。压敏电阻主要用于无绳电话中手机或座机的高频调制电路中，实现低频信号对高频信号的调制并发出。在工作状态下，变容二极管的调制电压一般施加在负极上，使得变容二极管的内部结电容随调制电压而变化。变容二极管失效主要表现为漏电或性能差:(1)漏电时，高频调制电路不起作用或调制性能差。(2)当变容二极管性能变差时，高频调制电路工作不稳定，导致调制后的高频信号发送给对方并被对方接收后失真。出现上述情况之一时，应更换同型号的变容二极管。七、晶体管在电路中常以“Q”加数字表示，如:Q17表示编号为17的晶体管。1，特点:晶体管(简称三极管)是一种具有两个PN结和放大能力的特殊器件。分为NPN型和PNP型两种，这两种晶体管在工作特性上可以互相弥补。OTL电路中所谓的计数管是由PNP型和NPN型配对使用的。电话中常用的PNP三极管有:A92，9015等。NPN三极管有A42，9014，9018，9013，9012等。2.晶体管主要用于放大电路，常见电路有三种连接方式。为了便于比较，下面列出三种晶体管连接电路的特点。名称共发射极电路共集电极电路(发射极输出)共基极电路输入阻抗大(几百欧姆到几千欧姆)，输出阻抗小(几十欧姆到几十欧姆)。电压放大倍数(小于6544)小(几十欧姆到几十欧姆)大(几万欧姆到几十万欧姆)。大(几十)小(小于1且接近1)大功放(约30 ~ 40分贝)小(约10分贝)中(约15 ~ 20分贝)高频差频特性好。特别是场效应管可以作为整个电子设备的输入级，可以获得普通晶体管难以达到的性能。2.FET分为结型和绝缘栅型，其控制原理是一样的。两个模型的符号:3。FET和晶体管的比较(1) FET是电压控制元件，晶体管是电流控制元件。在信号源只允许较小电流的情况下，应选择场效应晶体管；当信号电压较低且允许从信号源汲取更多电流时，应选择晶体管。(2) FET之所以称为单极器件，是因为它使用多数载流子导电，而晶体管同时使用多数载流子和少数载流子导电。它被称为双极器件。(3)有些场效应晶体管的源漏可以互换使用，栅极电压可以是正的，也可以是负的，灵活性比晶体管好。(4) FET可以在小电流、低电压的条件下工作，其制造工艺可以很容易地将许多FET集成在一个硅片上，因此FET在大规模集成电路中得到了广泛应用。1)电子元器件:指在工厂生产加工过程中不改变分子组成的成品。例如电阻器、电容器和电感器。因为不产生电子，对电压和电流没有控制和变换作用，所以也叫无源器件。根据分类标准，电子元器件可分为11类。2)电子器件:指在工厂生产加工过程中，分子结构发生了变化的成品。如晶体管、电子管和集成电路。又称为有源器件，因为它能产生电子，控制和变换电压和电流(放大、开关、整流、检波、振荡和调制等。).根据分类标准，电子器件可分为12大类，可概括为真空电子器件和半导体器件。调节电压为3.3v 3.6v 4.7v 5.1v 5.6v 6.2v 15v 27v 30v 75v。

编辑光电器件这一段。

光网络中光电子器件的发展趋势下一代光传送网的基本特征是超大容量。从目前各种复用技术的发展来看，密集波分复用(DWDM)被认为是扩展网络容量和提高其灵活性的最有效的方法。使用DWDM可以快速扩容几十到上百倍。由于近年来市场驱动和技术突破的影响，波分复用系统发展非常迅速。因此，各种新开发的光学器件或多或少都与波分复用有关。DWDM的发展思路一直是追求更高的频谱效率，一方面提高每个信道的速率，另一方面提高信道密度。目前大部分商用系统在速度上是2.5Gbit/s或者10Gbit/s。速度更高的40Gbit/s系统正在投入实际使用，预计2004年开始商业应用。阿尔卡特等一些电信公司已经进行了160Gbit/s的传输实验..在信道密度上，信道之间的波长差距已经小至25GHz，还在向12.5GHz努力，以至于现在商用系统的总信道数为160~240，实验室最高为1022。为了获得更大的容量，有时需要在上述两者之间进行折衷，同时要采取措施抑制光纤中的色散和非线性效应。这些要求都涉及到器件的高速、灵活、可靠的问题，最后还必须考虑低成本的问题，使得新原理、新结构、新功能的器件不断涌现。近年来，随着“网络经济”泡沫的破灭，光通信产业的资本支出大幅减少，作为光通信产业链最底层的光电子器件产业面临巨大挑战。预计2002年美国通信用光电子器件的资本支出将在2001年大幅下降29%的基础上继续下降24%。另一方面，之前对市场的盲目乐观估计造成了光电器件的大量积压，估计会持续到2003年。在这种市场环境下，光电子器件的研发趋势主要表现在以下几个方面:(1)从光电子器件实现的功能来看，光网络更大、更智能仍然是光电子器件的发展方向，只是研究重点发生了变化。在系统传输容量方面，光电器件的研究方向将集中在降低传输系统每公里每比特的成本上，而不是一味追求单光纤传输速率的突破。提高光纤传输容量有三种方案:扩展光波段、增加光通道密度和提高通道速度。在器件级的研究中，拉曼光放大器和EDFA结合的宽带放大器被认为是系统扩展到L波段时最有前途的光电器件。波长锁定激光器、高功率包层泵浦EDFA和高密度组滤波器将是光信道间距缩小到50GHz、25GHz甚至12.5GHz的光信道密度传输系统中的关键器件，40Gbit/s高速光调制器和接收机、动态色散补偿器和偏振模色散补偿器等光电器件将是40Gbit/s信道速率系统中的关键器件。这些关键光电器件的性能和价格将直接影响未来光传输系统的设计方案选择，但近期的重点产品仍在10Gbit/s系列，而2.5Gbit/s产品将逐渐下降。(2)小型化和集成化正成为光电子器件保持竞争力的新趋势。随着光传输设备中光电器件的比重越来越大，对光电器件小型化的要求也越来越明显。该设备占地面积小，能耗低，可有效降低网络的运行成本。光电器件的小型化也促进了集成技术的发展。光电集成技术可以将光子元件与其驱动的电子芯片集成在一起。平面波导集成技术可以集成光开关、可调衰减器、波分复用/解复用器等无源器件。与分立器件组成的系统相比，在一个芯片上实现子系统功能的系统不仅大大减小了体积，还降低了封装成本。在小型化光学器件的发展中，将激光器/探测器等光学器件与微电子芯片组装成具有多种功能的模块的发展趋势明显加快。模块化可以消除寄生参数的影响提高性能，节省后续组装的工艺和成本。也促进了相关行业的合作和标准化。例如，一年前，多家企业就10Gbit/s转发器的光、电、机械性能标准达成一致，极大地促进了此类器件性价比的提高。功能上，前向纠错(FEC)和热插拔已经被高端产品广泛采用。尺寸方面，与传统插件相比，集成应答器模块可以将尺寸缩小到原来的1/10，功耗降低2/3，价格仅为1/3。主要用于城域网和接入网的光收发模块也在从双工SC向封装更小的SFF模块发展。与双工SC封装相比，它在电路板上占用的体积更小，为1/2。在光放大器方面，新的EDFA模块只有7cm′9cm′1.2cm(长′宽′高)，但可以提供24dB的增益和15dBm的功率输出。模块化进一步推动了微胶囊激光器和非制冷激光器的进步。目前，不仅用于光信号源的激光器，而且功率泵浦激光器也在非制冷技术上取得了突破。1.20 MW以下980nm非制冷激光器已经商用。由于取消了冷却器，EDFA模块的功耗从4.5W降到了1W以下，体积也大幅缩小。值得注意的是，最近掺铒波导光放大器(EDWA)也被集成到平面波导中，以克服平面波导器件插入损耗大的缺点，从而使制造具有更新更复杂功能的平面波导器件成为可能。(3)光电器件组装的自动化技术将是降低光电器件成本的关键。手工组装是限制光电器件成本进一步降低的主要因素。自动化组装可以降低人工成本，提高产量，节省生产场地，因此光电器件自动化组装技术的研究将是降低光电器件成本的关键。由于光电器件自动组装的精度在亚微米量级，自动组装生产一直被认为是非常困难的，但最近有了很大的突破。国外学术期刊多次报道，基于VCSEL、新型光学准直器件和自对准的技术进步，实现了光学器件自动组装的突破，专门针对自动组装的光电器件设计也层出不穷。在2002年的OFC展会上，有十多家生产自动包装和自动超声波焊接机的厂家。很多工序，比如焊接、找正、压焊等等，以前被认为只是人工操作，现在都可以用机器人来完成。据ElectroniCast预测，到2005年，自动组装和测试设备的销售额将达到1，71亿美元，光电器件产值的70% ~ 80%将由全自动或半自动组装生产。可以说，自动化生产线的出现是光电子产业发展的标志和必然。