半导体的历史发展有哪些？

1833年，电子学之父英国科学家法拉第首先发现硫化银的电阻随温度的变化与普通金属不同。一般来说，金属的电阻随着温度的升高而增大，但是巴拉迪发现硫化银材料的电阻随着温度的升高而减小。这是第一次发现半导体现象。

很快，在1839年，贝克勒发现半导体和电解质接触形成的结在光照下会产生电压，这就是后来人们所说的光伏效应，这是所发现的半导体的第二个特性。

1873年，英国的Smith发现了硒晶体材料在光照下电导增大的光电导效应，这是半导体的另一个独特性质。

虽然半导体的这四种效应(四种伴生效应的发现，简夏霍尔效应的剩余成果)是在1880年之前相继发现的，但半导体这个术语最早是由Kauniberg和Weiss在大约1911年前使用的。总结半导体的这四个特性，贝尔实验室直到6月1947+2月才完成。

在1874中，布劳恩观察到某些硫化物的电导与所加电场的方向有关，即其导电性是有方向性的，在其两端加一个直流电压就导电；电压极性反了就不导电，这是半导体的整流效应，也是半导体特有的第三个特性。同年，舒斯特发现了铜和氧化铜的整流效应。

扩展数据:

角色贡献:

1，英国科学家法拉第(迈克尔·法拉第，1791~1867)

他在电磁学方面有很多贡献，但鲜为人知的是他在1833发现的半导体材料之一。

硫化银，因为电阻随温度升高而降低，当时只觉得有点奇怪，没有激起多大火花；

然而今天我们已经知道，随着温度的升高，晶格振动更加剧烈，使得电阻增大。但是对于半导体来说，温度的升高使得自由载流子的浓度增加，有助于导电，这也是半导体非常重要的物理性质。

2.德国博朗(1850~1918)。

注意到硫化物的电导率与施加电压的方向有关，这是半导体的整流。

但直到1906年，美国电机发明家皮卡德(1877~1956)才发明了第一个固态电子元件:猫须，它利用金属与硅或硫化铅接触产生的整流作用来探测无线电波。

在整流理论方面，德国的Walter Schottky(1886 ~ 1976)于1939年在德国物理杂志上发表了一篇关于整流理论的重要论文，并做了许多推论。他认为金属和半导体之间存在势垒，其主要原因是。

3.布洛赫(费利克斯·布洛赫，1905~1983)

他在这方面做出了重要的贡献，他的定理是在电子波函数上加了一个周期项，这在能带理论中是首创的。

另一方面，德国人Pailes (1907~)在1929中指出了一个几乎完全充满的能带，其电学特性可以用一些带正电荷的电荷来解释，这就是空穴概念的由来。

他后来提出的微扰理论解释了能隙的存在。

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